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挥军55奈米驱动IC!力旺完成高压製程IP布局

归属:新股研究 日期: 2019-10-10 作者: 热度: 652℃ 723喜欢

精实新闻 2014-02-25 17:59:17 记者 罗毓嘉 报导

非挥发性记忆体IP商力旺(3529)宣布,力旺的NeoBit单次可程式记忆体硅智财IP,已拓展到Full-HD小尺寸显示器驱动晶片(SDDI)应用,不仅已布局0.18um、0.13um、80nm等高压製程平台外,更进一步于世界级晶圆代工厂之12吋55nm高压先进製程,提供成熟的量产解决方案,未来可望有更多Full-HD规格小尺寸驱动IC供应商採用力旺的IP。

力旺指出,近年来手机、平板应用程式朝向多元化与娱乐化演进,引领行动通讯装置解析度主流规格不断提升,转眼间Full-HD规格将成为手机大厂新机重兵布阵之地,甚至朝向UHD、WQHD演进,也使得强调具备高画质解析度、更小晶片体积、以及省电低功耗设计等主流产品需求规格,已成为现阶段驱动晶片发展的必然趋势。

力旺指出,公司的单次可程式记忆体硅智财(One Time Programmable embedded non-volatile memory,OTP)製程,能将晶片面积微小化,以更小尺寸的静态随机存取记忆体(SRAM)实现Full-HD画质,同时亦提供具备低耗电的储存单元,可为高解析度小尺寸显示器驱动晶片客户,依不同产品定位,提供全方位低耗电与轻巧体积之Full-HD画质面板显示方案。

除此之外,力旺最新布局的55nm高压先进製程,更可积极做为超高画质(Ultra HD, UHD) 甚至于超高解析度(Wide Quad HD, WQHD)显示器SDDI的的生产平台,协助驱动晶片客户抢攻下一世代高阶显示器应用商机。

以目前80nm、90nm高压製程生产的驱动晶片来看,受限于SRAM存取速度及功耗问题,耗电较高,效能较不理想,难以满足Full-HD SDDI对高容量SRAM的需求;然而,当显示器朝向越高解析度演进,驱动晶片必然需要内含更多高容量之SRAM,此时如何缩小晶片体积、同时降低功耗便成为需要克服的挑战。

力旺说明,55nm高压先进製程具备低耗电SRAM储存单元,且可进一步微缩SRAM尺寸、适合採用做为Full-HD小尺寸显示器驱动晶片的生产平台,瞄準此市场趋势,力旺电子领先于12吋晶圆55nm先进高压製程布局,为Full-HD SDDI应用客户提供已臻成熟良率的解决方案。

目前,採用力旺电子NeoBit OTP硅智财于55nm高压先进製程生产的Full-HD SDDI,具备小尺寸、低耗电、以及高效能之优势,能为客户大幅提升产品之竞争力与成本效益,并已于世界级的晶圆代工厂进入成熟量产的阶段。